Die Ansprüche an Rechenleistungen und damit an die Mikroelektronik in der Computer- und Kommunikationstechnologie sowie an die Leistungselektronik in der Laser-, Luft- und Raumfahrttechnologie nehmen zu. Die Halbleiterentwicklung ist von steigender Energiedichte und hohen Wärmeverlusten bei gleichzeitiger Verkleinerung der Strukturen gekennzeichnet. Die Systeme werden damit prinzipiell anfälliger und müssen durch ein effektives Wärmemanagement vor Überhitzung geschützt werden. Si- und GaAs-Halbleiter müssen deshalb auf Substraten oder Bodenplatten montiert werden, die gleichzeitig auch als Kühlkörper fungieren. Um thermische Spannungen zu vermeiden, sind hierfür Materialien mit gleicher thermischer Ausdehnung und hoher Wärmeleitfähigkeit erforderlich. Werkstoffe aus TUCOMET®- und Molybdän-Kupfer- Legierungen erfüllen diese Eigenschaften ideal.

Da die thermische Ausdehnung dieser Kühlkörper der von Packing-Materialien bis zu 800°C entspricht, können diese nahezu spannungsfrei miteinander verbunden werden. Hierdurch und durch die zusätzliche Wärmekapazität während des diskontinuierlichen Laserbetriebs erhöht sich beispielsweise die Lebensdauer der Halbleiter-Laser-Dioden deutlich.